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多孔陶瓷材料的等離子體滲透性研究
氧化鋅（ZnO）作為一種高帶隙半導(dǎo)體，以其出色的化學(xué)穩(wěn)定性和生物相容性廣泛應(yīng)用于氣體傳感和催化等領(lǐng)域，尤其是具有三維多孔骨架結(jié)構(gòu)的t-ZnO。通過(guò)控制t‐ZnO的晶體形態(tài)和缺陷結(jié)構(gòu)，可以適應(yīng)不同的應(yīng)用，其中就包括對(duì)氧化鋅進(jìn)行等離子體表面改性處理來(lái)改善其電導(dǎo)率等性能。為了將三維多孔t‐ZnO的優(yōu)點(diǎn)與等離子體表面改性相結(jié)合，必須讓等離子體穿透到多孔骨架結(jié)構(gòu)中。由于高能等離子體會(huì)導(dǎo)致聚合物表面C-C和C-H鍵的解離并使C自由基位點(diǎn)上附著新的原子或基團(tuán)，
鍍膜工藝中的鍍膜界表面預(yù)處理是為了什么？
我們都知道納米顆粒由于具有大的表面能，擁有自聚集效應(yīng)。在一個(gè)平坦的表面，表面堆積一層納米顆粒，隨著溫度的上升，一般可能會(huì)出現(xiàn)納米顆粒之間的聚集和相互作用。而后才與平坦表面發(fā)生作用。經(jīng)典測(cè)試表明，金屬之間的互擴(kuò)散需要達(dá)到材料熔點(diǎn)的80%。
HiPIMS技術(shù)和dcMS技術(shù)在微孔內(nèi)表面制備TiAlN薄膜的對(duì)比
新鉑科技，聚焦高能等離子體表面工程硬件和工藝。
潤(rùn)滑油常用來(lái)提高微成形（金屬?zèng)_壓工藝尺寸的小型化）模具的使用壽命與加工精度，但是從污垢處理、產(chǎn)品污染和不穩(wěn)定成型性的角度來(lái)看，無(wú)潤(rùn)滑油微成型工藝是行業(yè)的一個(gè)強(qiáng)烈需求。
對(duì)比陰極弧與HiPIMS對(duì)AlTiN沉積膜層的研究
目前制備硬質(zhì)合金涂層主要可采用PVD方式，而PVD沉積除磁控放電外，還有陰極弧放電進(jìn)行涂層PVD沉積，相比磁控，陰極弧放電結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，已廣泛應(yīng)用于各種涂層技術(shù)的制備，如裝飾鍍層，其工藝沉積速率快。隨著工藝的要求逐漸提高，硬質(zhì)合金涂層在硬度等方面提出了更高的要求，
利用陽(yáng)極層離子源在管道內(nèi)壁制備類金剛石涂層
陽(yáng)極層離子源由于其簡(jiǎn)單性和將氣體轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子束的能力而被廣泛研究，其主要功能是在使用期間360°范圍內(nèi)連續(xù)產(chǎn)生離子束。通過(guò)簡(jiǎn)單地沿著直管或彎管牽引離子源就可以實(shí)現(xiàn)管道內(nèi)壁涂層的制備。利用傳統(tǒng)的物理氣相沉積如直流/射頻磁控濺射和PLD方法制備的類金剛石（DLC）涂層通常包含結(jié)構(gòu)缺陷，如針孔、孔洞和裂紋。
陰極弧放電不同反應(yīng)氣體等離子體對(duì)陰極的腐蝕研究
陰極弧放電已被經(jīng)常用于沉積不同的金屬膜，除常用的Ar用于直接濺射靶材沉積相應(yīng)的金屬薄膜外，含氮、含氧的薄膜也經(jīng)常在沉積過(guò)程中通過(guò)摻入O2和N2進(jìn)行放電來(lái)獲得。不同于單質(zhì)Ar等離子體放電，N2與O2屬于反應(yīng)性氣體，等離子體過(guò)程更加復(fù)雜，因此在陰極弧表面形成不同的放電形式。
真空鍍膜技術(shù)的基本原理
真空鍍膜技術(shù)的基本原理
真空鍍膜技術(shù)是氣相物理沉積的方法之一，也稱為真空鍍膜。在真空條件下，涂層材料被蒸發(fā)器加熱升華，蒸發(fā)的顆粒直接流向基底，在基底表面沉積一層固體薄膜。
請(qǐng)問(wèn)，HiPIMS高能磁控電源輸出線有什么注意事項(xiàng)？
請(qǐng)問(wèn)，HiPIMS高能磁控電源輸出線有什么注意事項(xiàng)？
一、電源輸出線離腔體盡量近，電源線盡量短
為了保證脈沖電流波引入到真空腔體時(shí)波形不畸變，且衰減小。期望在系統(tǒng)中，脈沖電鍍電源與真空腔體的距離2-3m為佳，長(zhǎng)線易對(duì)脈沖電流波形的上升、下降沿產(chǎn)生較大的影響，真空腔體打火時(shí)，滅弧效果有影響。